Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Техника arrow Биполярные и полевые транзисторы

Экспериментальная часть

1. Запустить среду МS10. На рабочем поле среды MS10 собрать схему для снятия ВАХ биполярных транзисторов с общим эмиттером (ОЭ) и полевых транзисторов с общим истоком (ОИ) (рис. 10, а).

В схему включить следующие компоненты

источники Е1 и Е2 постоянного напряжения, к одному из с помощью переключателя А подключается коллектор биполярного или сток полевого транзистора. Выбор источника питания зависит от знака полярности коллектора (стока) соответствующего транзистора (см. рис. 10, б); источники Е3 и Е4 постоянного напряжения для включения с помощью переключателя В одного из них в цепь базы соответствующего транзистора;

два потенциометра R1 и R2 для задания токов в цепях транзисторов;

два амперметра А1 и А2 и два вольтметра V1 и V2 для измерения токов и напряжений на электродах исследуемого транзистора.

Основные параметры транзисторов, предлагаемых для испытания в работе, даны в табл. 2. Приведенные марки транзисторов могут быть заменены на другие после двойного щелчка мышью на соответствующем изображении прибора на рабочем поле среды MS10 и на Replace Components.

2. Снять и построить (по точкам) входных IБ(UБ) при UКЭ = const и выходных IК(UК) при IБ = const ВАХ соответствующего биполярного транзистора (см. табл. 2). Для этого:

заменить транзистор в схеме испытания на рекомендованный тип;

Таблица 2

Номер записи фамилии N

Тип транзистора

UK.max (UC.max), В

IK.max (IC.max), A

h21Э

f max, МГц

PK(PС), Вт

Нечётн.

2N2222A

10

0,077

30…300

300

1,5

Чётные

2N3906

40

0,2

30…300

250

0,625

в соответствии со знаком полярности коллектора и базы исследуемого транзистора выбрать источники напряжения, задать их ЭДС и установить переключатели А и В в соответствующие положения;

изменяя сопротивления потенциометров R1 и R2 и, при необходимости, ЭДС источников Е1…Е4, заносить показания приборов

по данным измерений построить графики семейств входных и выходных ВАХ (см. рис. 2, а и б);

скопировать изображение схемы с показаниями приборов (для одного из режимов работы при снятии выходной ВАХ) на страницу отчёта;

воспользовавшись графиками семейств входных и выходных ВАХ, определить h-параметры биполярного транзистора.

Скопировать изображение схемы с показаниями приборов (для одного из режимов работы при снятии выходной ВАХ) на страницу отчёта.

  • 6. Вопросы для проверки знаний
  • 1. Назовите режимы работы биполярного транзистора и дайте их краткую характеристику.
  • 2. Укажите, какой формулой описывается коэффициент передачи по току h21Э биполярного транзистора?
  • 3. Укажите, в какой схеме включения биполярного транзистора:
    • а) максимальное входное сопротивление:

в схеме с ОЭ в схеме с ОБ в схеме с ОК

б) максимальный коэффициент усиления по мощности:

в схеме с ОЭ в схеме с ОБ в схеме с ОК?

4. Укажите порядок входного сопротивления полевых транзисторов, включенных по схеме с ОИ:

Десятки-сотни ом; Десятки-сотни килом; Десятки-сотни мегаом.

  • 5. Укажите возможную максимальную частоту преобразования сигналов в устройствах на базе полевого транзистора:
    • а) с управляющим р-п-переходом:
  • 500 МГц; 1…2 ГГц; 8…10 ГГц; 12…18 ГГц;
  • б) с изолированным затвором:
    • 500 МГц; 1…2 ГГц; 8…10 ГГц; 12…18 ГГц
    • 6. Укажите номер стоко-затворной характеристики п-канального полевого транзистора:
  • а) 1 2 3
  • б) с управляющим р-п-переходом: 1 2 3
  • в) со встроенным каналом: 1 2 3
  • 7. Каков физический смысл h-параметров и при каких условиях их определяют?
  • 8.. Укажите, какая схема включения биполярного транзистора наиболее распространена?

Схема с ОЭ Схема с ОК Схема с ОБ

  • 9. Укажите, какие основные носители зарядов в полевом транзисторе:
    • а) с п-каналом: электроны; дырки; электроны и дырки;
    • б) с р-каналом: электроны; дырки; электроны и дырки.
  • 10.. Укажите, какими преимуществами обладают полевые транзисторы по сравнению с биполярными?

Малой инерционностью, обусловленной только процессами перезарядки его входной и выходной ёмкостей. В полевых транзисторах отсутствуют процессы накапливания и рассасывания объёмного заряда неосновных носителей, оказывающих заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов.

Пониженным выходным сопротивлением.

Высоким входным сопротивлением по постоянному току и высокой технологичностью.

Большим падением напряжения UСИ при коммутациях малых сигналов.

Большей температурной стабильностью его характеристик.

Пренебрежительно малым входным током, независящим от напряжения между затвором и истоком.

  • 11. Определите понятия полевых транзисторов: а) пороговое напряжение; б) напряжение отсечки; в) напряжение насыщения.
  • 12. Укажите, в чём различие между транзисторами с управляющим р-п-переходом и МДП-транзисторами?

Характером изменения сечения проводящего канала: в транзисторе с р-п-переходом площадь поперечного сечения канала меняется за счёт изменения площади обеднённого слоя обратно включенного р-п-перехода, а в МДП-транзисторе сечение проводящего канала меняется за счёт изменения приповерхностного обогащённого носителями зарядов слоя или созданием и расширением возникающего инверсионного слоя в полупроводнике. Полевые транзисторы с р-п-переходом работают только на обеднение канала носителями зарядов, а МДП-транзисторы работают всегда только на обогащение проводящего канала. Максимальной границей частоты fm преобразования сигналов: для устройств на транзисторах с р-п-переходом частота fm = 12…18 ГГц, а для устройств на МДП-транзисторах fm = 1…2 ГГц.

Видом стоко-затворных характеристик: при нулевом напряжении на затворе у транзисторов с р-п-переходом ток стока максимальный, а у МДП-транзисторов - ток стока ничтожно малый.

13. Укажите, чем отличаются МДП- МОП-?

Материалом изоляции (диэлектрик или диоксид кремния) между затвором и каналом.

Материалом подложки (диэлектрик или двуокись кремния).

Конструкцией канала: в МДП-транзисторе встроенный канал, а в МОП-транзисторе изолированный.

Степенью обогащения канала: в МДП-транзисторе канал обеднен носителями заряда, а в МОП-транзисторе обогащён ими.

 
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Предыдущая   СОДЕРЖАНИЕ
 
Предметы
Агропромышленность
Банковское дело
БЖД
Бухучет и аудит
География
Документоведение
Естествознание
Журналистика
Информатика
История
Культурология
Литература
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика, химия, физика
Медицина
Менеджмент
Недвижимость
Педагогика
Политология
Право
Психология
Религиоведение
Социология
Статистика
Страховое дело
Техника
Товароведение
Туризм
Философия
Финансы
Экология
Экономика
Этика и эстетика
Прочее