Меню
Главная
Авторизация/Регистрация
 
Главная arrow Техника arrow Биполярные и полевые транзисторы

ПОСТРОЕНИЕ ВАХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ ХАРАКТЕРИОГРАФА CРЕДЫ MS10

Снять семейство выходных характеристик биполярных транзисторов в схеме с ОЭ или полевых транзисторов в схеме с ОИ можно с помощью характериографа IV Analyzer, подключая соответствующие выводы транзисторов к его входам, например модели 2N2222A (рис. 6).

Границы изменения напряжения на коллекторе UK (V_ce), тока базы IБ (I_b) и числа фиксированных уровней тока базы (Num steps) можно установить в диалоговом окне (рис. 7), (см. рис. 6). Если щелкнуть мышью вначале в поле семейства ВАХ транзистора (см. рис. 6), а затем в открывшемся окне (рис. 8, а) на закладках Hide Select Marks (Выделение ВАХ маркерами) и Select Trace ID (Выбор ВАХ IK(UK) из семейства выходных характеристик по заданному току базы, см. рис. 8, б), то при щелчке мышью на кнопке OK и закрытии окон выбранная ВАХ будет выделена треугольными маркерами (см. рис. 6), а при движении визирной линии внизу рисунка выводятся координаты точек (значения напряжения UK и тока IK) выделенной ВАХ, в которых их пересекает визирная линия. Значение тока базы IБ (I_b) выводится в левом нижнем углу рисунка.

При щелчке мышью на любой кривой ВАХ маркеры перемещаются на неё, а в нижней строке выводятся значение тока базы и координаты точки пересечения визира с выделенной кривой ВАХ.

Записав координаты двух точек ВАХ при двух фиксированных положениях визира на линейном участке характеристики (например, при заданном токе IБ1 = 0,74 мA, UK1 = 1,5 В и IK1 74,13 мА, а при UK2 = 2 В, IK2 77,58 мА), вычислим выходное динамическое сопротивление транзистора

Rвых = ДUK/ДIК = 0,5/0,00345 145 Ом,

а записав при фиксированном напряжении на коллекторе (например, UK = = 1,5 В) два значения тока коллектора при двух значениях тока базы (например IK1 = 74,13 мА при IБ1 = 0,74 mA и IK2 = 90,09 мА при IБ2 = 0,97 мA) найдём коэффициент передачи тока транзистора в схеме с ОЭ по формуле:

h21Э = ДIK/ДIБ = 15,96/0,23 69,4.

На рис. 9 представлено семейство ВАХ модели полевого транзистора 2N3823 (UСmax = 100 В; напряжение отсечки UЗО = 3,3 В) c управляющим затвором типа р-п-перехода и с каналом п-типа, снятое с помощью характериографа IV Analyzer при изменении напряжения сток-исток (drain-source) UСИ (Vds) от 0 до 20 В, напряжении затвор-исток (gate-source) UЗИ (Vgs) от 3,5 В до 0,5 В и числе фиксированных уровней напряжения затвора N = 6.

Переместим визир в окне характериографа в положение, при котором напряжение стока UC = 10 В, и запишем значения тока стока при двух напряжениях затвора транзистора, например, при UЗ = 0,3 В ток стока IС = = 10,87 мА, а при UЗ =1,13 В ток IС = 5,86 мА. Тогда крутизна управляющей стоко-затворной характеристики IС(UЗ) транзистора при UC = 10 В равна

S = ДIC /ДIЗ /0,8 = 6,25 мА/B.

Подобным образом с помощью характериографа IV Аnalyzer можно снять ВАХ и определить параметры других моделей биполярных и полевых транзисторов, записанных в библиотеке среды MS10, учитывая знаки полярности их электродов и устанавливая на них соответствующие границы изменения напряжений, ориентиром для которых служат паспортные данные транзисторов.

В библиотеке компонентов среды MS10 имеется большое количество моделей номинированных импортных транзисторов, отечественные аналоги которых можно найти в справочниках [10, 11]. Например, аналогом импортного транзистора типа IRFL710 является отечественный транзистор типа КП731А, транзистора 2N3906 - транзистор КТ6136A, транзистора 2N2222А - транзистор КТ3117Б и т. д.

Подробную информацию о параметрах транзистора можно найти в диалоговом окне, после двойного щелчка мышью на изображении и закладке Edit Component in BD. В качестве примера в табл. 1 приведены некоторые параметры (всего их 41) модели биполярного транзистора 2N2222А и их обозначения, принятые в среде MS10 и в данной работе.

Таблица 1

Наименование параметра

Обозначение и значение параметра в MS10

Обозначение и значение параметра в Lr23

Обратный ток коллекторного перехода

IS = 0,2046 pA

IK0 = 0,2046 пА

Идеальный максимальный коэффициент усиления тока в схеме с ОЭ

BF = 296,5

h21Э = = 296,5

Напряжение, близкое к максимальному напряжению коллектора

VAF = 10 V

UK.max = 10 B

Обратный ток эмиттерного перехода

ISE = 0,1451 pA

IЭ0 =0,1451 пA

Максимальный ток коллектора

IKF = 77,25 mA

IK.max = 77,25 мА

Объёмное сопротивление базы

RB = 4

RБ = 4 Ом

Объёмное сопротивление эмиттера

RE = 85,73 m

RЭ = 85,73 мОм

Объёмное сопротивление коллектора

RC = 0,4286

RК = 0,4283 Ом

Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер

VJE = 0,95 V

ЕБЭ = 0,95 В

Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор

VJC = 0,4 V

ЕБK = 0,4 В

Ёмкость эмиттерного перехода при нулевом напряжении

CJE = 11 pF

CЭ = 11 пФ

Ёмкость коллекторного перехода при нулевом напряжении

CJC = 32 pF

CK =32 пФ

Время переноса заряда через базу

TF = 0,3 nsec

tпер = 0,3 нс

 
Если Вы заметили ошибку в тексте выделите слово и нажмите Shift + Enter
< Предыдущая   СОДЕРЖАНИЕ   Следующая >
 
Предметы
Агропромышленность
Банковское дело
БЖД
Бухучет и аудит
География
Документоведение
Естествознание
Журналистика
Информатика
История
Культурология
Литература
Логика
Логистика
Маркетинг
Математика, химия, физика
Медицина
Менеджмент
Недвижимость
Педагогика
Политология
Право
Психология
Религиоведение
Социология
Статистика
Страховое дело
Техника
Товароведение
Туризм
Философия
Финансы
Экология
Экономика
Этика и эстетика
Прочее