ВВЕДЕНИЕ

Цель работы.

Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.

Приборы и принадлежности.

  • 1). ПК с становленным ПО National Instruments.
  • 2). NI ELVIS II.

Теоретические сведения.

Транзистор - это полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов в широком диапазоне частот (от постоянного тока до десяти гигагерц) и мощности (от десятков милливатт до сотен ватт).

Различают биполярные транзисторы, в которых используются кристаллы n- и p-типа, и полевые (униполярные) транзисторы, изготовленные на кристалле германия или кремния с одним типом проводимости.

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Биполярные транзисторы - это полупроводниковые приборы, выполненные на кристаллах со структурой p-n-p-типа (а) или n-p-n-типа (б) с тремя выводами, связанными с тремя слоями (областями): коллектор (К), база (Б) и эмиттер (Э) (рис. 1, а и б). Ток в таком транзисторе определяется движением зарядов двух типов: электронов и дырок. Отсюда его название - биполярный транзистор.

Рис. 1

Физические процессы в транзисторах p-n-p-типа и n-p-n-типа одинаковы. Отличие их в том, что токи в базах транзисторов p-n-p-типа переносятся основными носителями зарядов - дырками, а в транзисторах n-p-n-типа - электронами. Каждый из переходов транзистора - эмиттерный (Б-Э) и коллекторный (Б-К) можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от этого различают три режима работы транзистора:

режим отсечки - оба p-n-перехода закрыты, при этом через транзистор протекает сравнительно небольшой ток , обусловленный неосновными носителями зарядов;

режим насыщения - оба p-n-перехода открыты;

активный (усилительный) режим - один из p-n-переходов открыт, а другой закрыт.

В режимах отсечки и насыщения управление транзистором практически отсутствует. В активном режиме транзистор выполняет функцию активного элемента электрических схем усиления сигналов, генерирования колебаний, переключения и т. п.

Подав отрицательный потенциал ЭДС источника на коллектор и положительный на эмиттер (рис.1, в) в схеме включения транзистора п-р-п-типа с общим эмиттером (с ОЭ), мы, тем самым, открыли эмиттерный переход Э-Б и закрыли коллекторный Б-К, при этом ток коллектора мал, он определяется концентрацией неосновных носителей (электронов в данном случае) в коллекторе и базе.

Если между эмиттером и базой приложить небольшое напряжение (0,3…0,5 В) в прямом направлении p-n-перехода Э-Б, то происходит инжекция дырок из эмиттера в базу, образуя ток эмиттера . В базе дырки частично рекомбинируют со свободными электронами, но одновременно от внешнего источника напряжения (ЕБ < ЕК) в базу приходят новые электроны, образуя ток базы .

Так как база в транзисторе выполняется в виде тонкого слоя, то только незначительная часть дырок рекомбинирует с электронами базы, а основная их часть достигает коллекторного перехода. Эти дырки захватываются электрическим полем коллекторного перехода, являющегося ускоряющим для дырок. Ток дырок, попавших из эмиттера в коллектор, замыкается через резистор и источник напряжения с ЭДС образуя ток коллектора во внешней цепи.

Токи транзистора в схеме включения с ОЭ (см. рис. 1, в), работающего в активном режиме, связаны уравнением

.

Отношение тока коллектора к току эмиттера называют коэффициентом передачи тока ,

откуда ток базы

где IK0 = 0,1…10 мкА у кремниевых и IK0 = 10…100 мкА у германиевых транзисторов

Схема включения транзистора с ОЭ является наиболее распространенной вследствие малого тока базы во входной цепи и усиления входного сигнала как по напряжению, так и по току.

Транзистор может работать на постоянном токе, малом переменном сигнале, большом переменном сигнале и в ключевом (импульсном) режиме.

Основные свойства транзистора определяются соотношениями токов и напряжений в различных его цепях и взаимным их влиянием друг на друга. На рис. 2 представлены семейства входных (а) и выходных (б) статических характеристик транзистора в схеме с ОЭ. Они могут быть получены в результате эксперимента или расчёта.

Семейства характеристик, которые связывают напряжения и токи на выходе с токами и напряжениями на входе, называют характеристиками передачи или управляющими характеристиками. В качестве примера на рис. 2, в приведена управляющая характеристика по току транзистора (коэффициент передачи тока) при напряжении , т. е.

.

Рис 2.

Входные и выходные характеристики транзистора обычно приводятся в справочниках (каталогах) транзисторов, которые широко используют для анализа работы транзисторов и для расчета схем при больших сигналах.

В режиме усиления малых сигналов транзистор в схеме с ОЭ часто представляют в виде линейного четырехполюсника, входные и выходные параметры которого связаны следующими уравнениями:

;

где () входное динамическое сопротивление транзистора (h11Э = 100…1000 Ом); () безразмерный коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, значение которого лежит в пределах 0,002…0,0002 (при расчётах им часто пренебрегают, т. е. полагают равным нулю); () коэффициент передачи (усиления) тока при постоянном напряжении на коллекторе; его также обозначают или ;

() выходная проводимость транзистора при постоянном токе базы (h22Э = См).

Параметры схемы замещения транзистора с ОЭ в h-форме определяют по его входным и выходным характеристикам (см. рис. 2).

 
< Пред   СОДЕРЖАНИЕ   Загрузить   След >